CGHV35060MP

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN

Guadagno:

14.5 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 10 V, 2 V

Id - Corrente di scarico continua:

10.4 A

Potenza di uscita:

75 W

Tensione massima della porta di drenaggio:

50 V

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 107 C

Pd - Dissipazione di potenza:

52 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Confezione:

Bobina

Applicazione:

Radar in banda S e stazioni base LTE

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

3.5 GHz

Intervallo operativo di temperatura:

- 40 C to + 107 C

Marca:

Wolfspeed / Cree

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

transistor

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 3 V

Tags

CGHV35, CGHV3, CGHV, CGH