BUV22

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-204-2

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

250 V

Collettore-tensione di base VCBO:

300 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Corrente massima del collettore CC:

40 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

8 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

8.51 mm (Max)

Lunghezza:

38.86 mm

Confezione:

Vassoio

Larghezza:

26.67 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

40 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

BUV2, BUV