RM120N85T2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Rectron

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

85 V

Id - Corrente di scarico continua:

120 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

55 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

160 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Rectron

Transconduttanza diretta - Min:

40 S

Tempo di caduta:

13.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13.5 ns

Tags

RM120, RM12, RM1