NPT2022

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

MACOM

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN Si

Guadagno:

21 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

160 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

3 V

Id - Corrente di scarico continua:

24 mA

Potenza di uscita:

100 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 85 C

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

2 GHz

Intervallo operativo di temperatura:

- 40 C to + 85 C

Marca:

MACOM

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Rds On - Resistenza Drain-Source:

200 mOhms

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

transistor

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 1.6 V

Tags

NPT202, NPT20, NPT2, NPT