BSD223PH6327XTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

390 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

- 500 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

BSD223

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

350 mS

Tempo di caduta:

3.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

5.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.8 ns

Parte # Alias:

BSD223P BSD223PH6327XT H6327 SP000924074

Unità di peso:

0.010582 oz

Tags

BSD223PH, BSD223, BSD22, BSD2, BSD