TK560P60Y,RQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

430 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

14.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

-

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

DTMOSV

Confezione:

Bobina

Serie:

TK560P60Y

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

105 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

50 ns

Tags

TK560P60, TK560P, TK560, TK56, TK5