IXTN32P60P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Pacchetto/custodia:

SOT-227-4

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

32 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

350 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Qg - Carica cancello:

196 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

890 W

Confezione:

Tubo

Prodotto:

MOSFET di potenza

Serie:

IXTN32P60

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

32 S / 21 S

Tempo di caduta:

33 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

95 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

37 ns

Unità di peso:

1.058219 oz

Tags

IXTN3, IXTN, IXT