RRH100P03GZETB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

39 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

5 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

100 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

60 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

150 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Parte # Alias:

RRH100P03

Unità di peso:

0.030018 oz

Tags

RRH100P, RRH100, RRH10, RRH1, RRH