2N7002W-7-F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

115 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

13.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

2N7002W

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento

Larghezza:

1.35 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

80 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Unità di peso:

0.000988 oz

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