RJ1U330AAFRGTL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

16.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

77 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

80 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

211 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

140 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

200 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

120 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

50 ns

Parte # Alias:

RJ1U330AAFRG

Tags

RJ1U330AAF, RJ1U, RJ1