TK12A50D(STA4,Q,M)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

520 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

25 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

45 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

DTMOSIV

Altezza:

15 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

TK12A50D

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

22 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

100 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

55 ns

Unità di peso:

0.211644 oz

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