BSZ15DC02KDHXTMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-TSDSON-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.1 A, 3.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

55 mOhms, 150 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV, 1.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

2.1 nC, - 3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

5.5 S, 3.4 S

Tempo di caduta:

1.4 ns, 4.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2 ns, 3.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12.2 ns, 11.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.9 ns, 7.4 ns

Parte # Alias:

BSZ15DC02KD H SP000961028

Unità di peso:

0.001129 oz

Tags

BSZ15DC02KDH, BSZ15D, BSZ15, BSZ1, BSZ