NSBA123EDXV6T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Dual

Polarità del transistor:

PNP

Resistenza di ingresso tipica:

2.2 kOhms

Rapporto resistore tipico:

1

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Guadagno base/collettore DC hfe min:

8

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Corrente continua del collettore:

- 0.1 A

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

357 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NSBA123EDXV6

Confezione:

Bobina

Guadagno di corrente CC hFE Max:

8

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

ON Semiconductor

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

NSBA123E, NSBA123, NSBA12, NSBA1, NSBA, NSB