FCPF850N80Z

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

850 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

22 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

28.4 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

SuperFET II

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.07 mm

Lunghezza:

10.36 mm

Serie:

FCPF850N80Z

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

4.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Unità di peso:

0.080072 oz

Tags

FCPF, FCP