RS1E280BNTB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HSOP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

94 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

30 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

3.2 mm

Tipo di transistor:

1 N-channel

Larghezza:

3 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

28 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

100 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

160 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

31 ns

Parte # Alias:

RS1E280BN

Tags

RS1E280B, RS1E280, RS1E28, RS1E2, RS1E, RS1