SI7384DP-T1-GE3

SI7384DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7384DP-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI7384DP-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
VISHAY
categoria di prodotto
FET - Single
Confezione
Bobina
Alias ​​parziali
SI7384DP-GE3
Unità di peso
0.017870 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
SO-8
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
1.8 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
13 ns
Ora di alzarsi
13 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
11 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
8.5 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
45 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
10 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI738, SI73, SI7
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Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI7384DP-T1-GE3
DISTI # SI7384DP-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
  • 3000:$0.9504
SI7384DP-T1-GE3
DISTI # 781-SI7384DP-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
    Immagine Parte # Descrizione
    SI7384DP-T1-GE3

    Mfr.#: SI7384DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7384DP-T1-GE3

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    SI7384DP-T1-E3

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    OMO.#: OMO-SI7384DP-T1-E3-VISHAY

    RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
    SI7384DP-T1-GE3

    Mfr.#: SI7384DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7384DP-T1-GE3-VISHAY

    RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
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