2SA1962RTU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3P-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

230 V

Collettore-tensione di base VCBO:

230 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

17 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SA1962

Altezza:

19.9 mm

Lunghezza:

15.6 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.8 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

15 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

55 at 1 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

130000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

450

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.225789 oz

Tags

2SA1962, 2SA196, 2SA19, 2SA1, 2SA