IXTA100N15X4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

74 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

375 W

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Serie:

X4-Class

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

120 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Tags

IXTA100, IXTA10, IXTA1, IXTA, IXT