EMF5XV6T5G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.25 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Serie:

EMF5XV6

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

0.1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Pd - Dissipazione di potenza:

357 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

EMF5XV6T, EMF5X, EMF5, EMF