SSM3J338R,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23F-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

45.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

1.8 V

Qg - Carica cancello:

19.5 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

SSM3J338

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

17 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

383 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

65 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

SSM3J338, SSM3J33, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM