FCH041N65EFLN4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

76 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

41 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

229 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

595 W

Configurazione:

Singola doppia sorgente

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SuperFET II

Confezione:

Tubo

Serie:

SuperFET II

Tipo di transistor:

1 N-Channel SUPERFET II Power MOSFET

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

71.7 S

Tempo di caduta:

18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

450

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

169 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

55 ns

Tags

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