IXFN420N10T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Pacchetto/custodia:

SOT-227-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

420 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

670 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1070 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Prodotto:

GigaMOS HiPerFET

Serie:

IXFN420N10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

GigaMos Trench HiperFet Power MOSFET

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

110 S

Tempo di caduta:

255 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

155 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

115 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

47 ns

Unità di peso:

1.058219 oz

Tags

IXFN4, IXFN, IXF