BC857AM,315

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1006-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

125 at 2 mA, 5 V

Altezza:

0.47 mm

Lunghezza:

1.02 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

0.62 mm

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

125

Pd - Dissipazione di potenza:

430 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BC857AM T/R

Tags

BC857AM, BC857A, BC857, BC85, BC8