STD30NF03LT4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

20 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.4 mm

Lunghezza:

6.6 mm

Serie:

STD30NF03L

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

6.2 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

13 S

Tempo di caduta:

240 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

205 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

90 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

35 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STD30NF03, STD30NF, STD30N, STD30, STD3, STD