2PB1219AR,135

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

120 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 150 mA, 10 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.35 mm

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

/T3 2PB1219AR

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

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