IPD031N03LGBTMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.1 mOhms

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

G IPD031N03L IPD31N3LGXT SP000236957

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

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