ECH8652-TL-H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ECH-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

49 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

11 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Serie:

ECH8652

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

87 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

72 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

105 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Tags

ECH865, ECH86, ECH8, ECH