IPL65R1K0C6SATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ThinPAK-56-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

15 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

34.7 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

CoolMOS C6

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

13.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

41 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.6 ns

Parte # Alias:

IPL65R1K0C6S SP001163084

Unità di peso:

0.002677 oz

Tags

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