FDZ191P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WLCSP-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

67 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.6 mm

Lunghezza:

1.5 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

FDZ191P

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

7 S

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Unità di peso:

0.001905 oz

Tags

FDZ191, FDZ19, FDZ1, FDZ