PMZ290UNEYL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1006-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

380 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

950 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

680 pC

Pd - Dissipazione di potenza:

2700 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

1.6 S

Tempo di caduta:

31 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

172 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

0.000028 oz

Tags

PMZ290UNE, PMZ29, PMZ2, PMZ