FCMT299N60

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-88-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

299 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

39 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

SuperFET II

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

8 mm

Serie:

FCMT299N60

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

8 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

12 S

Tempo di caduta:

7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

51 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Unità di peso:

0.015839 oz

Tags

FCMT, FCM