NX1029X,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-666-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V, 50 V

Id - Corrente di scarico continua:

300 mA, 170 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.6 Ohms, 7.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

0.25 nC, 0.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

Trench MOSFET

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

550 mS, 150 mS

Tempo di caduta:

7 ns, 25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6 ns, 11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns, 48 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns, 13 ns

Unità di peso:

0.000095 oz

Tags

NX1029X, NX1029, NX102, NX10, NX1