NVJS4151PT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

55 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

10 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

12 S

Tempo di caduta:

4.2 us

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.7 us

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

2.7 us

Tempo di ritardo di accensione tipico:

850 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

NVJS4, NVJS, NVJ