IXTA05N100

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1 kV

Id - Corrente di scarico continua:

750 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

7.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

9.65 mm

Serie:

IXTA05N100

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza ad alta tensione

Larghezza:

10.41 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

0.55 S

Tempo di caduta:

28 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXTA05, IXTA0, IXTA, IXT