TTC012(Q)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

375 V

Collettore-tensione di base VCBO:

800 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

8 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

500 mV

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

TTC012

Guadagno di corrente CC hFE Max:

250 at 1 mA, 5 V

Confezione:

Massa

Marca:

Toshiba

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80 at 1 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

200

sottocategoria:

transistor

Tags

TTC012, TTC01, TTC0, TTC