FDP10N60NZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

640 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

23 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

185 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

UniFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.3 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

FDP10N60NZ

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

14 S

Tempo di caduta:

50 nS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

50 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

70 nS

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 nS

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

FDP10N, FDP10, FDP1, FDP