TPN11006PL,LQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

54 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

17 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

61 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

TPN11006PL

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

3.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Tags

TPN11006, TPN110, TPN11, TPN1, TPN