PBSS5580PA,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-2020-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Corrente massima del collettore CC:

- 5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

110 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

265

Altezza:

0.61 mm

Lunghezza:

2.1 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.1 mm

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

- 4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

70

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

PBSS558, PBSS55, PBSS5, PBSS, PBS