RQ3L050GNTB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HSMT-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

43 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

5.3 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

14.8 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

3.5 S

Tempo di caduta:

3.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.4 ns

Parte # Alias:

RQ3L050GN

Tags

RQ3L, RQ3