BC856B RF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 65 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.65 V

Corrente massima del collettore CC:

- 0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

475

Confezione:

Bobina

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Corrente continua del collettore:

- 0.1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

220

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.050717 oz

Tags

BC856BR, BC856B, BC856, BC85, BC8