NTTD1P02R2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Micro-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.45 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

160 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

2.5 S

Tempo di caduta:

20 ns, 30 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns, 30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Tags

NTTD1, NTTD, NTT