2SA2120-O(Q)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3P-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

200 V

Collettore-tensione di base VCBO:

200 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

12 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

25 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SA2120

Altezza:

19 mm

Lunghezza:

15.9 mm

Larghezza:

4.8 mm

Marca:

Toshiba

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80 at 1 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.238311 oz

Tags

2SA212, 2SA21, 2SA2, 2SA