BUK9K12-60EX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LFPAK56D-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

35 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.5 mOhms, 9.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

24.5 nC, 24.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

68 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

25.3 ns, 25.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

28 ns, 28 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

31.5 ns, 31.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15.1 ns, 15.1 ns

Tags

BUK9K1, BUK9K, BUK9, BUK