2SA1832-GR,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-426-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 100 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 150 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

80 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Serie:

2SA1832

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400 at - 2 mA, - 6 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Toshiba

Guadagno base/collettore DC hfe min:

70 at - 2 mA, - 6 V

Pd - Dissipazione di potenza:

100 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000085 oz

Tags

2SA1832-G, 2SA1832, 2SA183, 2SA18, 2SA1, 2SA