CSD87381PT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PTAB-5

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

15.7 mOhms, 7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.9 V, 1.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

3.9 nC, 8.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

4 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.48 mm

Lunghezza:

3 mm

Serie:

CSD87381P

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

Stadio di potenza Buck NexFET sincrono

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

40 S, 89 S

Tempo di caduta:

3 ns, 2.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19.3 ns, 16.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10.6 ns, 16.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.7 ns, 7.9 ns

Tags

CSD87381, CSD8738, CSD873, CSD87, CSD8, CSD