SSM6J214FE(TE85L,F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

50 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

7.9 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

700 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Serie:

SSM6J214FE

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

5.7 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

75 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Tags

SSM6J21, SSM6J2, SSM6J, SSM6, SSM