MUN5213DW1T3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

NPN

Resistenza di ingresso tipica:

47 kOhms

Rapporto resistore tipico:

1

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Pd - Dissipazione di potenza:

187 mW, 256 mW

Serie:

MUN5213DW1

Confezione:

Bobina

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Guadagno di corrente CC hFE Max:

140

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

2 mm

Tipo:

Transistor a doppia resistenza di polarizzazione

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000212 oz

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