MRF085HR3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Doppio canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

210 mA

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 133 V

Guadagno:

25.6 dB

Potenza di uscita:

85 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-650H-4

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

1.8 MHz to 1215 MHz

Serie:

MRF085H

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Semiconduttori NXP

Numero di canali:

2 Channel

Pd - Dissipazione di potenza:

235 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Parte # Alias:

935351494128

Unità di peso:

0 oz

Tags

MRF0, MRF