NX3008PBKV,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-666-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

220 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.8 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

900 mV

Qg - Carica cancello:

550 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.09 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

160 mS

Tempo di caduta:

38 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

65 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Unità di peso:

0.000095 oz

Tags

NX3008PBKV, NX3008P, NX3008, NX300, NX30, NX3