RTF016N05TL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323T-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

45 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

190 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

2.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.8 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.85 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

RTF016N05

Tipo di transistor:

1 N-Channel MOSFET

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Parte # Alias:

RTF016N05

Tags

RTF016, RTF01, RTF0, RTF